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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
1989 [1]
1988 [1]
1987 [3]
1986 [3]
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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Manufacture of buried type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989192184A, 申请日期: 1989-08-02, 公开日期: 1989-08-02
作者:
OKAYASU MASANOBU
;
KOUMAE ATSUO
;
TAKESHITA TATSUYA
;
KOGURE OSAMU
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser and its manufacture
专利
OAI收割
专利号: JP1988198388A, 申请日期: 1988-08-17, 公开日期: 1988-08-17
作者:
TENMYO JIRO
;
UEHARA SHINGO
;
KOUMAE ATSUO
;
HASUMI YUJI
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提交时间:2020/01/18
Optical-electronic integrated circuit and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1987264660A, 申请日期: 1987-11-17, 公开日期: 1987-11-17
作者:
HASUMI YUJI
;
TENMIYO JIRO
;
ASAHI HAJIME
;
KOUMAE ATSUO
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提交时间:2019/12/31
Optical-electronic integrated circuit and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1987264661A, 申请日期: 1987-11-17, 公开日期: 1987-11-17
作者:
HASUMI YUJI
;
TENMIYO JIRO
;
ASAHI HAJIME
;
KOUMAE ATSUO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1987229892A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08
作者:
HASUMI YUJI
;
TENMIYO JIRO
;
ASAHI HAJIME
;
KOUMAE ATSUO
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提交时间:2020/01/13
Impurity introduction process by ion implantation
专利
OAI收割
专利号: JP1986280616A, 申请日期: 1986-12-11, 公开日期: 1986-12-11
作者:
NOJIMA SHUNJI
;
ASAHI HAJIME
;
KOUMAE ATSUO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986271887A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02
作者:
YOSHIKUNI YUZO
;
KAWAMURA YUICHI
;
WAKITA KOICHI
;
TENMIYO JIRO
;
ASAHI HAJIME
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1986251090A, 申请日期: 1986-11-08, 公开日期: 1986-11-08
作者:
KOUMAE ATSUO
;
ASAHI HAJIME
;
TENMIYO JIRO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser and manufacture of the same
专利
OAI收割
专利号: JP1987079686A, 公开日期: 1987-04-13
作者:
KOUMAE ATSUO
;
ASAHI HAJIME
;
TENMIYO JIRO
;
HASUMI YUJI
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提交时间:2019/12/26