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机构
西安光学精密机械研... [17]
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OAI收割 [17]
内容类型
专利 [17]
发表日期
1992 [1]
1991 [1]
1988 [3]
1986 [3]
1985 [2]
1984 [1]
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A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice
专利
OAI收割
专利号: EP0319207B1, 申请日期: 1992-07-29, 公开日期: 1992-07-29
作者:
MURAKAMI, TAKASHI C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
OTAKI, KANAME C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
;
KUMABE, HISAO C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor device having a disordered superlattice
专利
OAI收割
专利号: US5031185, 申请日期: 1991-07-09, 公开日期: 1991-07-09
作者:
MURAKAMI, TAKASHI
;
OTAKI, KANAME
;
KUMABE, HISAO
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提交时间:2019/12/26
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988124486A, 申请日期: 1988-05-27, 公开日期: 1988-05-27
作者:
KUMABE HISAO
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1988062292A, 申请日期: 1988-03-18, 公开日期: 1988-03-18
作者:
KUMABE HISAO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1988007691A, 申请日期: 1988-01-13, 公开日期: 1988-01-13
作者:
KUMABE HISAO
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986285783A, 申请日期: 1986-12-16, 公开日期: 1986-12-16
作者:
KUMABE HISAO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986135186A, 申请日期: 1986-06-23, 公开日期: 1986-06-23
作者:
KUMABE HISAO
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1986022876B2, 申请日期: 1986-06-03, 公开日期: 1986-06-03
作者:
KUMABE HISAO
;
TANAKA TOSHIO
;
HORIUCHI SHIGEKI
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提交时间:2020/01/18
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专利
OAI收割
专利号: JP1985050056B2, 申请日期: 1985-11-06, 公开日期: 1985-11-06
作者:
KUMABE HISAO
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
IKEDA KENJI
;
SUZAKI WATARU
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1985003182A, 申请日期: 1985-01-09, 公开日期: 1985-01-09
作者:
KUMABE HISAO
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提交时间:2020/01/13