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机构
上海微系统与信息技... [11]
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OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2012 [2]
2011 [1]
2010 [6]
2009 [2]
学科主题
Optics [6]
Instrument... [2]
Engineerin... [1]
Engineerin... [1]
Instrument... [1]
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共11条,第1-10条
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Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG
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提交时间:2013/04/17
compound semiconductor
molecular beam epitaxy
InAlGaAs
X-ray diffraction
photoluminescence
Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG(重点实验室)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/05/10
Optics
Analysis and evaluation of uniformity of SWIR InGaAs FPA-Part I: Material issues
期刊论文
OAI收割
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 497-502
Gu, Y
;
Zhang, YG
;
Li, C
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Li, X
;
Fang, X
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width
期刊论文
OAI收割
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, C
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Shao, XM
;
Fang, JX
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提交时间:2012/03/24
GAS-SOURCE MBE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WAVELENGTH EXTENDED InGaAs/InP PHOTODETECTOR STRUCTURES WITH LATTICE MISMATCH UP TO 2.6%
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 81-86
Gu, Y
;
Li, C
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Li, YY
;
Zhang, YG(张永刚)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
BUFFER
Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
期刊论文
OAI收割
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176
Li, C
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Wang, K
;
Gu, Y
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTODIODES
WAVELENGTH
BUFFER
LAYERS
MOCVD
CAP
GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width
期刊论文
OAI收割
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946
Zhang, YG
;
Li, C
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Shao, XM
;
Fang, JX
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Physics
Electrical & Electronic
Optics
Applied
Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
期刊论文
OAI收割
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176
Li, C
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Wang, K
;
Gu, Y
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Optics
Applied
WAVELENGTH EXTENDED InGaAs/InP PHOTODETECTOR STRUCTURES WITH LATTICE MISMATCH UP TO 2.6%
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 81-86
Gu, Y
;
Li, C
;
Wang, K
;
Li, HSBY
;
Li, YY
;
Zhang, YG(重点实验室)
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提交时间:2013/05/10
Optics
IMPROVING THE PERFORMANCE OF EXTENDED WAVELENGTH InGaAs PHOTODETECTORS BY USING DIGITAL GRADED HETEROINTERFACES SUPERLATTICE
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 405-409
Wang, K
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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提交时间:2012/03/24
PHOTODIODES