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• 西安光学精密机械研究... [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7852893, 申请日期: 2010-12-14, 公开日期: 2010-12-14 作者:  TANAKA, AKIRA;  OKADA, MAKOTO;  MATSUYAMA, TAKAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/01/18 Light emitting apparatus and method for manufacturing same 专利  OAI收割 专利号: US20080246051A1, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09 作者:  HOSOKAWA, TADAAKI;  HORIUCHI, OSAMU;  MATSUYAMA, TAKAYUKI;  OKADA, MAKOTO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/30 Electroabsorption modulator, and fabricating method of the same 专利  OAI收割 专利号: US6602432, 申请日期: 2003-08-05, 公开日期: 2003-08-05 作者:  MATSUYAMA, TAKAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Ridge waveguide type photo semiconductor device and method for fabricating same 专利  OAI收割 专利号: US20020105989A1, 申请日期: 2002-08-08, 公开日期: 2002-08-08 作者:  MATSUYAMA, TAKAYUKI;  TOHYAMA, MASAKI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Buried-type semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1991009590A, 申请日期: 1991-01-17, 公开日期: 1991-01-17 作者:  MATSUYAMA TAKAYUKI;  KINOSHITA JUNICHI   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18 Buried type semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988194383A, 申请日期: 1988-08-11, 公开日期: 1988-08-11 作者:  TANAKA AKIRA;  MATSUYAMA TAKAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Method for measuring thickness of epitaxial wafer layer 专利  OAI收割 专利号: JP1987073617A, 申请日期: 1987-04-04, 公开日期: 1987-04-04 作者:  TANAKA AKIRA;  KONNO KUNIAKI;  MATSUYAMA TAKAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18