机构

• 上海微系统与信息技... [10]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 1997 [2]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Schottky barrier heights of Cr contacts on n- and p-type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 460-463 Zhang, YG(张永刚）; Li, AZ; Milnes, AG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/25 METAL CONTACTS  CHEMISTRY   Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors using 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 1997, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 363-364 Zhang, YG(张永刚）; Li, AZ; Milnes, AG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25 UV PHOTODIODES   Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995, 1996, 卷号: 142, 期号: 0, 页码: 665-668 Zhang,YG; Li,XL; Milnes,AG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/25 GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INAS1-XSBX LAYERS ON GASB SUBSTRATES 期刊论文  OAI收割 INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1992, 期号: 120, 页码: 83-88 POLYAKOV,AY; STAM,M; LI,AZ; MILNES,AG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/25 DETECTORS  HETEROJUNCTIONS  SUPERLATTICES   TRAP GETTERING BY ISOELECTRONIC DOPING OF P-GAAS AND N-GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1989, 卷号: 95, 期号: 1-4, 页码: 296-300 LI, A; KIM, HK; JEONG, JC; WONG, D; ZHAO, JH; FANG, ZQ; SCHLESINGER, TE; MILNES, AG 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/03/25 PHOTOINDUCED TRANSIENT SPECTROSCOPY PITS STUDY ON UNDOPED LEC GROWN SEMI-INSULATING GAAS 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 1989, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 405-411 FANG ZQ; SHAN L; SCHLESINGER TE; MILNES AG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 CHARACTERIZATION OF GAAS1-YSBY GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1988, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 203-211 LI, AZ; ZHAO, JH; JEONG, JC; WONG, D; ZHOU, WC; LEE, JC; KOYANAGI, T; CHEN, ZY; SCHLESINGER, TE; MILNES, AG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/25 MINORITY-CARRIER DIFFUSION LENGTHS IN BULK N-TYPE GAAS 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1987, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 177-180 LIANG, BW; ZOU, YX; ZHOU, BL; MILNES, AG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/25 GERMANIUM INCORPORATION IN HEAVILY DOPED MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWN GAAS-GE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1985, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 629-633 LI, A; MILNES, AG; CHEN, ZY; SHAO, YF; WANG, SB 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 ASPECTS OF GAAS SELECTIVE AREA GROWTH BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY WITH PATTERNING BY SIO2 MASKING 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1983, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 2072-2075 LI, AZ; CHENG, H; MILNES, AG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/25