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Manufacture of photoelectric element integrated circuit device 专利  OAI收割
专利号: JP1985165763A, 申请日期: 1985-08-28, 公开日期: 1985-08-28
作者:  
KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI MITSUHIRO;  KANEKO TADAO;  KOBASHI TAKAHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/18
Light emitting semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984188182A, 申请日期: 1984-10-25, 公开日期: 1984-10-25
作者:  
MORI MITSUHIRO;  ONO YUUICHI;  ITOU KAZUHIRO;  KAWADA MASAHIKO;  NAKAMURA HITOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/13
Light-emitting semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984145581A, 申请日期: 1984-08-21, 公开日期: 1984-08-21
作者:  
ONO YUUICHI;  MORI MITSUHIRO;  ITOU KAZUHIRO;  KAWADA MASAHIKO;  KURATA KAZUHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2020/01/18
Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21
作者:  
MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  SAITOU KATSUTOSHI;  IMAI KUNINORI
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/31
P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21
作者:  
MORI MITSUHIRO;  SAITOU KATSUTOSHI;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  CHIBA KATSUNUMA
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983108784A, 申请日期: 1983-06-28, 公开日期: 1983-06-28
作者:  
KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI MITSUHIRO;  TSUJI SHINJI;  SAITOU KATSUTOSHI;  CHIBA KATSUAKI
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1983091692A, 申请日期: 1983-05-31, 公开日期: 1983-05-31
作者:  
SATOU NOBU;  MORI MITSUHIRO;  KOBAYASHI MASAYOSHI;  KATOU HIROSHI;  KOBAYASHI MASAMICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1983077259A, 申请日期: 1983-05-10, 公开日期: 1983-05-10
作者:  
SAITOU KATSUTOSHI;  MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  SATOU NOBU;  KOBAYASHI MASAYOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2020/01/13