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西安光学精密机械研... [13]
高能物理研究所 [1]
工程热物理研究所 [1]
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OAI收割 [15]
内容类型
专利 [13]
会议论文 [2]
发表日期
1999 [1]
1998 [1]
1994 [1]
1993 [2]
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1989 [1]
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DEVELOPMENT OF A THREE-STAGED LOW EMISSIONS COMBUSTOR FOR INDUSTRIAL SMALL-SIZE GAS TURBINES
会议论文
OAI收割
ASME, Indianapolis,Indiana, 1999-06-07
Hiroshi Sato
;
Toshiji Amano
;
Yoshihiro Iiyama
;
Masaaki Mori
;
Tsuneaki Nakamura
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提交时间:2012/07/12
LATTICE DESIGN OF JHF SYNCHROTRONS
会议论文
OAI收割
APAC98 Contributions to the Proceedings, Japan, 1998
作者:
Yoshihiro ISHI
;
Shinji MACHIDA
;
Yoshiharu MORI
;
Shinji SHIBUYA
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提交时间:2017/02/13
Semiconductor laser devices
专利
OAI收割
专利号: US5311534, 申请日期: 1994-05-10, 公开日期: 1994-05-10
作者:
MORI, YOSHIHIRO
;
OTSUKA, NOBUYUKI
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提交时间:2020/01/13
Method of fabricating a semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5268328, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07
作者:
MORI, YOSHIHIRO
;
MANNOH, MASAYA
;
KAMIYAMA, SATOSHI
;
OHNAKA, KIYOSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5185755, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者:
MORI, YOSHIHIRO
;
MANNOH, MASAYA
;
KAMIYAMA, SATOSHI
;
OHNAKA, KIYOSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and its manufacture
专利
OAI收割
专利号: JP1991196688A, 申请日期: 1991-08-28, 公开日期: 1991-08-28
作者:
ONAKA SEIJI
;
MORI YOSHIHIRO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1989143283A, 申请日期: 1989-06-05, 公开日期: 1989-06-05
作者:
MORI YOSHIHIRO
;
SHIBATA ATSUSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1988033887A, 申请日期: 1988-02-13, 公开日期: 1988-02-13
作者:
MORI YOSHIHIRO
;
SHIBATA ATSUSHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1987189750A, 申请日期: 1987-08-19, 公开日期: 1987-08-19
作者:
MORI YOSHIHIRO
;
OGURA MOTOTSUGU
;
SHIBATA ATSUSHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor optical integrated circuit
专利
OAI收割
专利号: JP1987106687A, 申请日期: 1987-05-18, 公开日期: 1987-05-18
作者:
KIMURA SOICHI
;
OGURA MOTOTSUGU
;
SHIBATA ATSUSHI
;
MORI YOSHIHIRO
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提交时间:2020/01/13