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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strong lattice anharmonicity exhibited by the high-energy optical phonons in thermoelectric material 期刊论文  OAI收割 NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2020, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 9 作者:  Wu, Peng;  Fan, Feng-Ren;  Hagihala, Masato;  Kofu, Maiko;  Peng, Kunling   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/12/01 SnSe  anharmonicity  Raman spectroscopy  pair distribution function  inelastic neutron scattering   Polar rotor scattering as atomic-level origin of low mobility and thermal conductivity of perovskite CH3NH3PbI3 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 8 作者:  Li, Bing;  Kawakita, Yukinobu;  Liu, Yucheng;  Wang, Mingchao;  Matsuura, Masato   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/10/29 Method for fabricating a semiconductor laser device using (AlxGa1-x)yIn1-yP semiconductor clad layers 专利  OAI收割 专利号: US5194400, 申请日期: 1993-03-16, 公开日期: 1993-03-16 作者:  TAKAMORI, AKIRA;  IDOTA, KEN;  UCHIYAMA, KIYOSHI;  NAKAJIMA, MASATO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for fabricating a semiconductor laser device in which the P-type clad layer and the active layer are grown at different rates 专利  OAI收割 专利号: US5190891, 申请日期: 1993-03-02, 公开日期: 1993-03-02 作者:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA;  NAKAJIMA, MASATO;  SUZUKI, TOMOKO   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device comprising a SiGe single crystal substrate 专利  OAI收割 专利号: EP0460939A2, 申请日期: 1991-12-11, 公开日期: 1991-12-11 作者:  YOKOTSUKA, TATSUO;  NAKAJIMA, MASATO   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1989130584A, 申请日期: 1989-05-23, 公开日期: 1989-05-23 作者:  KONDO MASATO;  NAKAJIMA KAZUO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 - 专利  OAI收割 专利号: JP1988047355B2, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21 作者:  KOBAYASHI KEISUKE;  NAKAJIMA HISAO;  WATANABE NOZOMI;  YAMASHITA MASATO;  FUKUZAWA TADASHI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1987188293A, 申请日期: 1987-08-17, 公开日期: 1987-08-17 作者:  NAKAJIMA MASATO   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Laser diode and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986029187A, 申请日期: 1986-02-10, 公开日期: 1986-02-10 作者:  NAKAJIMA MASATO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Optical semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1985192382A, 申请日期: 1985-09-30, 公开日期: 1985-09-30 作者:  NAKAJIMA MASATO;  NOGUCHI SHIYOUZOU;  FUKUI KIYOETSU;  YONEZU HIROO;  SHINOHARA YASUO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13