中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

条数/页： 排序方式：
- 专利  OAI收割
专利号: JP1986036719B2, 申请日期: 1986-08-20, 公开日期: 1986-08-20
作者:  SAKUMA ISAMU;  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13
Compound semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1984151485A, 申请日期: 1984-08-29, 公开日期: 1984-08-29
作者:  HIBIYA TAKETOSHI;  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1984086282A, 申请日期: 1984-05-18, 公开日期: 1984-05-18
作者:  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Visible light semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1984086281A, 申请日期: 1984-05-18, 公开日期: 1984-05-18
作者:  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US4434491, 申请日期: 1984-02-28, 公开日期: 1984-02-28
作者:  SAKUMA, ISAMU;  NISHIDA, KATSUHIKO;  KAWANO, HIDEO
  |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1981091489A, 申请日期: 1981-07-24, 公开日期: 1981-07-24
作者:  SAKUMA ISAMU;  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufature of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1981090587A, 申请日期: 1981-07-22, 公开日期: 1981-07-22
作者:  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1980140285A, 申请日期: 1980-11-01, 公开日期: 1980-11-01
作者:  SAKUMA ISAMU;  NISHIDA KATSUHIKO
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18