机构

• 西安光学精密机械研究... [7]
• 广州地球化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]
• 1991 [2]
• 1988 [1]
• 1986 [3]
• 1985 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Three-axial shape distributions of pebbles, cobbles and boulders smaller than a few meters on asteroid Ryugu 期刊论文  OAI收割 ICARUS, 2022, 卷号: 381, 页码: 17 作者:  Michikami, Tatsuhiro;  Hagermann, Axel;  Morota, Tomokatsu;  Yokota, Yasuhiro;  Urakawa, Seitaro   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/11/09 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1991180089A, 申请日期: 1991-08-06, 公开日期: 1991-08-06 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1991034386A, 申请日期: 1991-02-14, 公开日期: 1991-02-14 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Edge emission type optical semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1988226978A, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1986160990A, 申请日期: 1986-07-21, 公开日期: 1986-07-21 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 Method for forming electrode of semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: JP1986108166A, 申请日期: 1986-05-26, 公开日期: 1986-05-26 作者:  YAMAGUCHI MASAYUKI;  UEHARA KUNIO;  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986059791A, 申请日期: 1986-03-27, 公开日期: 1986-03-27 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1985123086A, 申请日期: 1985-07-01, 公开日期: 1985-07-01 作者:  NOGUCHI HIDEAKI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13