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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Phosphor film and light source apparatus 专利  OAI收割 专利号: WO2018179654A1, 申请日期: 2018-10-04, 公开日期: 2018-10-04 作者:  NOMURA RYO;  KUNII YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7907652, 申请日期: 2011-03-15, 公开日期: 2011-03-15 作者:  KAMEYAMA, SHINGO;  NOMURA, YASUHIKO;  HATA, MASAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7869480, 申请日期: 2011-01-11, 公开日期: 2011-01-11 作者:  KAMEYAMA, SHINGO;  NOMURA, YASUHIKO;  HATA, MASAYUKI;  INOSHITA, KYOJI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Nitride based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20090086778A1, 申请日期: 2009-04-02, 公开日期: 2009-04-02 作者:  KAMEYAMA, SHINGO;  NOMURA, YASUHIKO;  HIROYAMA, RYOJI;  HATA, MASAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Nitride-base semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7088755, 申请日期: 2006-08-08, 公开日期: 2006-08-08 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO;  HATA, MASAYUKI;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US20060018353A1, 申请日期: 2006-01-26, 公开日期: 2006-01-26 作者:  HATA, MASAYUKI;  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US6956884, 申请日期: 2005-10-18, 公开日期: 2005-10-18 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  HAYASHI, NOBUHIKO;  SHONO, MASAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Nitride-based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US6954478, 申请日期: 2005-10-11, 公开日期: 2005-10-11 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US6928096, 申请日期: 2005-08-09, 公开日期: 2005-08-09 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  KUNISATO, TATSUYA   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride based semiconductor light emitting device and nitride based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US6914922, 申请日期: 2005-07-05, 公开日期: 2005-07-05 作者:  HAYASHI, NOBUHIKO;  GOTO, TAKENORI;  KANO, TAKASHI;  NOMURA, YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26