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	Semiconductor laser device 专利 OAI收割专利号: US8649408, 申请日期: 2014-02-11, 公开日期: 2014-02-11 作者: HASHIMOTO, REI; SUGAI, MAKI; HWANG, JONGIL; HATTORI, YASUSHI; SAITO, SHINJI \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Semiconductor light emitting device 专利 OAI收割专利号: US8526477, 申请日期: 2013-09-03, 公开日期: 2013-09-03 作者: SAITO, SHINJI; HWANG, JONGIL; NUNOUE, SHINYA \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Liquid crystal display device 专利 OAI收割专利号: US8520167, 申请日期: 2013-08-27, 公开日期: 2013-08-27 作者: SAITO, SHINJI; HATTORI, YASUSHI; NUNOUE, SHINYA \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/12/23
	Semiconductor light emitting element, and its manufacturing method 专利 OAI收割专利号: US6303405, 申请日期: 2001-10-16, 公开日期: 2001-10-16 作者: YOSHIDA, HIROAKI; ITAYA, KAZUHIKO; SAITO, SHINJI; NISHIO, JOHJI; NUNOUE, SHINYA \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/12/24
	Semiconductor laser using gallium nitride series compound semiconductor 专利 OAI收割专利号: US6252894, 申请日期: 2001-06-26, 公开日期: 2001-06-26 作者: SASANUMA, KATSUNOBU; SAITO, SHINJI; HATAKOSHI, GENICHI; ITAYA, KAZUHIKO; ONOMURA, MASAAKI \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/24
	Semiconductor laser and method of fabricating same 专利 OAI收割专利号: US6031858, 申请日期: 2000-02-29, 公开日期: 2000-02-29 作者: HATAKOSHI, GENICHI; ONOMURA, MASAAKI; RENNIE, JOHN; ISHIKAWA, MASAYUKI; NUNOUE, SHINYA \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利 OAI收割专利号: US5987048, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16 作者: ISHIKAWA, MASAYUKI; YAMAMOTO, MASAHIRO; NUNOUE, SHINYA; NISHIO, JOHJI; HATAKOSHI, GENICHI \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2019/12/26
	Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利 OAI收割专利号: US5966396, 申请日期: 1999-10-12, 公开日期: 1999-10-12 作者: OKAZAKI, HARUHIKO \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2020/01/18