中国科学院机构知识库网格系统: 检索

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条

帮助

条数/页：排序方式：
	Method for forming underlayer composed of GaN-based compound semiconductor, GaN-based semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing GaN-based semiconductor light-emitting element 专利 OAI收割专利号: US7452789, 申请日期: 2008-11-18, 公开日期: 2008-11-18 作者: OKUYAMA, HIROYUKI \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/12/24
	Semiconductor light emitting device 专利 OAI收割专利号: US6881982, 申请日期: 2005-04-19, 公开日期: 2005-04-19 作者: OKUYAMA, HIROYUKI; DOI, MASATO; BIWA, GOSHI; OOHATA, TOYOHARU \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Semiconductor device and semiconductor light emitting device 专利 OAI收割专利号: US6462354, 申请日期: 2002-10-08, 公开日期: 2002-10-08 作者: OKUYAMA, HIROYUKI \| 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/12/24
	Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same 专利 OAI收割专利号: US6206962, 申请日期: 2001-03-27, 公开日期: 2001-03-27 作者: KIJIMA, SATORU; OKUYAMA, HIROYUKI \| 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/12/26
	Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch 专利 OAI收割专利号: US5872023, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16 作者: SHIRAISHI, MASASHI; ITO, SATOSHI; NAKANO, KAZUSHI; ISHIBASHI, AKIRA; IKEDA, MASAO \| 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2019/12/26
	Semiconductor laser with ZnMgSSe cladding layers 专利 OAI收割专利号: US5515393, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07 作者: OKUYAMA, HIROYUKI; AKIMOTO, KATSUHIRO; MIYAJIMA, TAKAO; OZAWA, MASAFUMI; MORINAGA, YUKO \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/24
	Semiconductor light emitting device 专利 OAI收割专利号: US5375134, 申请日期: 1994-12-20, 公开日期: 1994-12-20 作者: OKUYAMA, HIROYUKI; AKIMOTO, KATSUHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Semiconductor laser 专利 OAI收割专利号: US5268918, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07 作者: AKIMOTO, KATSUHIRO; OKUYAMA, HIROYUKI \| 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Manufacture of p-type cds 专利 OAI收割专利号: JP1992280687A, 申请日期: 1992-10-06, 公开日期: 1992-10-06 作者: OKUYAMA HIROYUKI; AKIMOTO KATSUHIRO; IKEDA MASAO \| 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2020/01/18