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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Lichtemittierende Halbleitervorrichtung 专利  OAI收割 专利号: DE4407298A1, 申请日期: 1994-09-08, 公开日期: 1994-09-08 作者:  OMURA ETSUJI;  SHIGIHARA KIMIO;  TAKEMOTO AKIRA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US5228048, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13 作者:  TAKEMOTO, AKIRA;  OMURA, ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1992002191A, 申请日期: 1992-01-07, 公开日期: 1992-01-07 作者:  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1991078284A, 申请日期: 1991-04-03, 公开日期: 1991-04-03 作者:  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990264487A, 申请日期: 1990-10-29, 公开日期: 1990-10-29 作者:  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device and a method of producing same 专利  OAI收割 专利号: US4937835, 申请日期: 1990-06-26, 公开日期: 1990-06-26 作者:  OMURA, ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 Method of making a buried crescent laser with air gap insulator 专利  OAI收割 专利号: US4929571, 申请日期: 1990-05-29, 公开日期: 1990-05-29 作者:  OMURA, ETSUJI;  NAMIZAKI, HIROFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990114583A, 申请日期: 1990-04-26, 公开日期: 1990-04-26 作者:  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1990052483A, 申请日期: 1990-02-22, 公开日期: 1990-02-22 作者:  NAMISAKI HIROBUMI;  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989292880A, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27 作者:  OMURA ETSUJI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18