机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2000 [1]
• 1996 [1]
• 1994 [2]
• 1992 [1]
• 1991 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser and process for producing the same 专利  OAI收割 专利号: US6104738, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15 作者:  KITOH, MASAHIRO;  OTSUKA, NOBUYUKI;  ISHINO, MASATO;  MATSUI, YASUSHI;  INABA, YUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/12/26 Distributed feedback semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US5539766, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23 作者:  ISHINO, MASATO;  KITOH, MASAHIRO;  OTSUKA, NOBUYUKI;  MATSUI, YASUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof 专利  OAI收割 专利号: US5319657, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07 作者:  OTSUKA, NOBUYUKI;  KITO, MASAHIRO;  ISHINO, MASATO;  MATSUI, YASUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser devices 专利  OAI收割 专利号: US5311534, 申请日期: 1994-05-10, 公开日期: 1994-05-10 作者:  MORI, YOSHIHIRO;  OTSUKA, NOBUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Strained quantum well semiconductor laser and its manufacture 专利  OAI收割 专利号: JP1992373190A, 申请日期: 1992-12-25, 公开日期: 1992-12-25 作者:  OTSUKA NOBUYUKI;  KITO MASAHIRO;  MATSUI YASUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1991276688A, 申请日期: 1991-12-06, 公开日期: 1991-12-06 作者:  OTSUKA NOBUYUKI;  OSHIMA MASAAKI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Nitride semiconductor, method for manufacturing the same and nitride semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US20030183827A1, 公开日期: 2003-10-02 作者:  KAWAGUCHI, YASUTOSHI;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  TSUJIMURA, AYUMU;  OTSUKA, NOBUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26