中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [6]
上海微系统与信息技术... [2]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2004 [2]
2000 [2]
1998 [4]
学科主题
半导体物理 [3]
Crystallog... [1]
Physics, A... [1]
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Nonradiative recombination centers in ga(as,n) and their annealing behavior studied by raman spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Ramsteiner, M
;
Jiang, DS
;
Harris, JS
;
Ploog, KH
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:87/29
  |  
提交时间:2010/03/09
1.3 MU-M
Fundamental relationship of excitonic photoluminescence intensity with excitation density in semiconductor quantum well structures
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: 4075-4078
Jin, SR
;
Ramsteiner, M
;
Grahn, HT
;
Ploog, KH
;
Li, ZH
;
Shen, DX
;
Zhu, ZQ
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/03/24
TEMPERATURE-DEPENDENCE
RECOMBINATION
LIFETIMES
INGAAS/GAAS
DYNAMICS
CARRIERS
KINETICS
Suppression of yellow luminescence in As-doped GaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 56-60
Jin, SR
;
Ramsteiner, M
;
Grahn, HT
;
Ploog, KH
;
Zhu, ZQ
;
Shen, DX
;
Li, AZ
;
Metev, P
;
Guido, LJ
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/03/24
PHOTOLUMINESCENCE
TRANSITIONS
DEPENDENCE
BAND
MG
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
期刊论文
OAI收割
compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 期号: 0, 页码: 211-214
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SHALLOW DONORS
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
OAI收割
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/11/15
SHALLOW DONORS
三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 311
作者:
牛智川
;
韩勤
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Electronic and vibrational raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in gan on sapphire substrate
期刊论文
iSwitch采集
Compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 页码: 211-214
作者:
Jiang, DS
;
Ramsteiner, M
;
Brandt, O
;
Ploog, KH
;
Tews, H
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12