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半导体研究所 [6]
上海微系统与信息技术... [2]
采集方式
OAI收割 [6]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2004 [2]
2000 [2]
1998 [4]
学科主题
半导体物理 [3]
Crystallog... [1]
Physics, A... [1]
半导体材料 [1]
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Nonradiative recombination centers in ga(as,n) and their annealing behavior studied by raman spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Ramsteiner, M
;
Jiang, DS
;
Harris, JS
;
Ploog, KH
收藏
  |  
Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
Fundamental relationship of excitonic photoluminescence intensity with excitation density in semiconductor quantum well structures
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: 4075-4078
Jin, SR
;
Ramsteiner, M
;
Grahn, HT
;
Ploog, KH
;
Li, ZH
;
Shen, DX
;
Zhu, ZQ
收藏
  |  
Suppression of yellow luminescence in As-doped GaN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 56-60
Jin, SR
;
Ramsteiner, M
;
Grahn, HT
;
Ploog, KH
;
Zhu, ZQ
;
Shen, DX
;
Li, AZ
;
Metev, P
;
Guido, LJ
收藏
  |  
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
期刊论文
OAI收割
compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 期号: 0, 页码: 211-214
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
OAI收割
24th ieee international symposium on compound semiconductors, san diego, california, sep 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
收藏
  |  
三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 311
作者:
牛智川
;
韩勤
收藏
  |  
Electronic and vibrational raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in gan on sapphire substrate
期刊论文
iSwitch采集
Compound semiconductors 1997, 1998, 卷号: 156, 页码: 211-214
作者:
Jiang, DS
;
Ramsteiner, M
;
Brandt, O
;
Ploog, KH
;
Tews, H
收藏
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