机构

• 半导体研究所 [21]
• 金属研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [12]
• iSwitch采集 [11]

内容类型

• 期刊论文 [23]

发表日期

• 2021 [1]
• 2020 [2]
• 2011 [1]
• 2008 [8]
• 2007 [9]
• 2005 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [6]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Role of energy-band offset in photo-electrochemical etching mechanism of p-GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 129, 期号: 16, 页码: 165701 作者:  Fariza, Aqdas;   Ji, Xiaoli;   Gao, Yaqi;   Ran, Junxue;   Wang, Junxi;   Wei, Tongbo   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/07/26 Near vacuum-ultraviolet aperiodic oscillation emission of AlN films 期刊论文  OAI收割 SCIENCE BULLETIN, 2020, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 827-831 作者:  Yanming Zhu;   Richeng Lin;   Wei Zheng;   Junxue Ran;   Feng Huang   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/06/17 Deep-ultraviolet aperiodic-oscillation emission of AlGaN films 期刊论文  OAI收割 OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1719-1721 作者:  Yanming Zhu;   Wei Zheng;   Junxue Ran;   Feng Huang   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/16 High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002 Yin, Haibo; Wang, Xiaoliang; Ran, Junxue; Hu, Guoxin; Zhang, Lu; Xiao, Hongling; Li, Jing; Li, Jinmin 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Gallium nitride   Growth temperature dependences of inn films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 作者:  Yang, Cuibai;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Zhang, Xiaobin;  Hua, Guoxin 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Mocvd  Mobility   Theoretical design and performance of inxga1-xn two-junction solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/02/02 Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6 作者:  Zhang, Xiaobin;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Yang, Cuibai;  Ran, Junxue   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Mao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Si(111)  Crack  Aln  Mocvd   Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)