机构

• 上海微系统与信息技... [10]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]
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内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2006 [5]
• 2004 [2]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775 Lei, BL; Yu, GH; Ye, HH; Meng, S; Wang, XZ; Lin, C; Qi, M; Li, A; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  0001 SAPPHIRE  DEPENDENCE  FILMS  NITRIDATION  DIRECTION  SURFACES  LAYER   Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775 Lei, BL; Yu, GH; Ye, HH; Meng, S; Wang, XZ; Lin, C; Qi, M; Li, A; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/05/10 Materials Science  Materials Science  Physics  Physics  Multidisciplinary  Coatings & Films  Applied  Condensed Matter   Core structures of the a-edge dislocation in InN 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 111901-111901 Lei, HP; Ruterana, P; Nouet, G; Jiang, XY; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 ELASTIC-CONSTANTS  EXTENDED DEFECTS  III-NITRIDES  GAN  ALN  GROWTH   Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 15-19 Lin, CT; Yu, GH; Lei, BL; Wang, XZ; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  GROWTH  DEPOSITION  MORPHOLOGY  EVOLUTION  SAPPHIRE   Research on fabrication and properties of nanoporous GaN epilayers 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 5-10 Wang, XL; Yu, GH; Wang, XZ; Lin, CT; Lei, BL; Qi, M; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 FILMS   Indium assisted hydride vapor phase epitaxy of GaN film 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CERAMIC PROCESSING RESEARCH, 2006, 卷号: 7, 期号: 2, 页码: 180-182 Yu, GH; Lei, BL; Ye, HH; Meng, S; Qi, M; Li, AZ; Ruterana, P; Chen, J; Nouet, G 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 SURFACTANT  DEPOSITION  GROWTH   Atomic core structure of 90 degrees (c)over-right-arrow-bent screw threading dislocations in wurtzite GaN 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 1-4 Belabbas, I; Chen, J; Ruterana, P; Yu, GH; Nouet, G 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 TIGHT-BINDING  MODEL  EDGE   Growth of high-quality thick GaN using a tungsten interlayer 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2006, 卷号: 25, 页码: 11-14 Wang, XZ; Yu, GH; Lei, BL; Lin, CT; Wang, XL; Qi, M; Li, AZ; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  PENDEO-EPITAXY  LATERAL GROWTH  FILMS  SAPPHIRE  LAYERS  OVERGROWTH   Characterization of thick HVPE GaN films 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2004, 卷号: 36, 期号: 4-6, 页码: 417-424 Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J; Lei, BL; Ye, HH; Yu, GH; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 GROWTH   Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2004, 卷号: 241, 期号: 12, 页码: 2689-2692 Ruterana, P; Chen, J; Nouet, G; Lei, BL; Ye, HH; Yu, GH; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 NITRIDATION  SAPPHIRE