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High-resolution and high-precision correlation of dark and light layers in the Quaternary hemipelagic sediments of the Japan Sea recovered during IODP Expedition 346 期刊论文  OAI收割
PROGRESS IN EARTH AND PLANETARY SCIENCE, 2018, 卷号: 5, 页码: 10
作者:  Tada, Ryuji;  Irino, Tomohisa;  Ikehara, Ken;  Karasuda, Akinori;  Sugisaki, Saiko
  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/08/21
Use of Side-Chain Incompatibility for Tailoring Long-Range p/n Heterojunctions: Photoconductive Nanofibers Formed by Self-Assembly of an Amphiphilic Donor-Acceptor Dyad Consisting of Oligothiophene and Perylenediimide 期刊论文  OAI收割
Chem.-Asian J., 2010, 卷号: 5, 期号: 7, 页码: 1566-1572
李维实; SAEKI AKINORI; YAMAMOTO YOHEI; FUKUSHIMA TAKANORI; SEKI SHU; ISHII NORIYUKI; KATO KENICHI; TAKATA MASAKI; AIDA TAKUZO
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/08/23
Epitaxial wafer and compound semiconductor light emitting device, and methods of fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US5864573, 申请日期: 1999-01-26, 公开日期: 1999-01-26
作者:  MIURA, YOSHIKI;  MATSUBARA, HIDEKI;  SEKI, HISASHI;  KOUKITU, AKINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same 专利  OAI收割
专利号: US5756374, 申请日期: 1998-05-26, 公开日期: 1998-05-26
作者:  MIURA, YOSHIKI;  MATSUBARA, HIDEKI;  MATSUSHIMA, MASATO;  SEKI, HISASHI;  KOUKITU, AKINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2019/12/24
Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same 专利  OAI收割
专利号: US5604761, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18
作者:  
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Method of fabricating a semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: EP0452146B1, 申请日期: 1994-01-12, 公开日期: 1994-01-12
作者:  HOSOBA, HIROYUKI;  SEKI, AKINORI;  HATA, TOSHIO;  KONDOU, MASAFUMI;  SUYAMA, TAKAHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1992242987A, 申请日期: 1992-08-31, 公开日期: 1992-08-31
作者:  SUYAMA NAOHIRO;  SEKI AKINORI;  HOSOBANE HIROYUKI;  KONDO MASAFUMI;  HATA TOSHIO
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser element and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1991227086A, 申请日期: 1991-10-08, 公开日期: 1991-10-08
作者:  NAKATSU HIROSHI;  ATSUNUSHI FUMIHIRO;  INOGUCHI KAZUHIKO;  OKUMURA TOSHIYUKI;  SEKI AKINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor light-emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1987001293A, 申请日期: 1987-01-07, 公开日期: 1987-01-07
作者:  SEKI AKINORI;  KUDO ATSUSHI;  KOBA MASAYOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: EP0801156A2, 公开日期: 1997-10-15
作者:  OKAHISA, TAKUJI, C/OSUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  SHIMAZU, MITSURU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD;  MATSUSHIMA, MASATO, SUMITOMO ELECTRIC IND. LTD.;  MIURA, YOSHIKI, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.;  MOTOKI, KENSAKU, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.
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