机构

• 半导体研究所 [9]
• 西安光学精密机械研究... [2]
• 物理研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 专利 [2]
• 研究报告 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [4]
• 2007 [4]
• 2005 [2]
• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 APPLICATION OF CYCLOTRONS IN BRACHYTHERAPY 研究报告  OAI收割 2010 P.Saidi; M.Sadeghi; A.Shirazi   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/07/11 Cyclotrons  Accelerators  Brachytherapy   1310 nm gainnas triple quantum well laser with 13 ghz modulation bandwidth 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 作者:  Zhao, H.;  Haglund, A.;  Westburgh, P.;  Wang, S. M.;  Gustavsson, J. S. 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：186/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs   1310 nm GaInNAs triple quantum well laser with 13 GHz modulation bandwidth 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 Zhao H; Haglund A; Westburgh P; Wang SM; Gustavsson JS; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：93/31  |  提交时间：2010/03/08 THRESHOLD-CURRENT-DENSITY  RANGE   Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974 作者:  Tangring, I.;  Wang, S. M.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A.;  Wang, X. D. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic growth  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Metamorphic ingaas quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351 作者:  Wang, S. M.;  Tangring, I.;  Gu, Q. F.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic  Ingaas quantum well  Light emission   Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351 Wang SM; Tangring I; Gu QF; Sadeghi M; Larsson A; Wang XD; Ma CH; Buyanova IA; Chen WM 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/03/29 metamorphic   Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974 Tangring, I (Tangring, I.); Wang, SM (Wang, S. M.); Sadeghi, M (Sadeghi, M.); Larsson, A (Larsson, A.); Wang, XD (Wang, X. D.) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/03/29 metamorphic growth   High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 14 Wang, SM; Gu, QF; Wei, YQ; Sadeghi, M; Larsson, A; Zhao, QX; Wang, XD; Ma, CH; Xing, ZG 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 GAINNAS  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS