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Dopant Segregation and Nickel Stanogermanide Contact Formation on p(+) Ge0.947Sn0.053 Source/Drain
期刊论文
OAI收割
ieee electron device letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 634-636
Han, GQ
;
Su, SJ
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Zhou, Q
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Guo, PF
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Yang, Y
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Zhan, CL
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Wang, LX
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Wang, W
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Wang, QM
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Xue, CL
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Cheng, BW
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Yeo, YC
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提交时间:2013/03/17
Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate
期刊论文
OAI收割
thin solid films, 2012, 卷号: 520, 期号: 16, 页码: 5361-5366
Hu, WX
;
Cheng, BW
;
Xue, CL
;
Su, SJ
;
Liu, Z
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Li, YM
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Wang, QM
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Wang, LJ
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Liu, JQ
;
Ding, J
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Lin, GJ
;
Lin, ZD
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提交时间:2013/02/04
Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping
期刊论文
OAI收割
optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 20, 页码: 22327-22333
Liu Z (Liu, Zhi)
;
Hu WX (Hu, Weixuan)
;
Su SJ (Su, Shaojian)
;
Li C (Li, Chong)
;
Li CB (Li, Chuanbo)
;
Xue CL (Xue, Chunlai)
;
Li YM (Li, Yaming)
;
Zuo YH (Zuo, Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng, Buwen)
;
Wang QM (Wang, Qiming)
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提交时间:2013/03/27
Lattice constant deviation from Vegard
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 17, 页码: 176104
Su SJ (Su Shao-Jian)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Zhang DL (Zhang Dong-Liang)
;
Zhang GZ (Zhang Guang-Ze)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
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提交时间:2013/04/02
Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17805
Hu, WX
;
Cheng, BW
;
Xue, CL
;
Zhang, GZ
;
Su, SJ
;
Zuo, YH
;
Wang, QM
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提交时间:2013/03/17
GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
期刊论文
OAI收割
optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413
Su SJ
;
Cheng BW
;
Xue CL
;
Wang W
;
Cao QA
;
Xue HY
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PERFORMANCE
SEMICONDUCTORS
SILICON
Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801
Hu WX (Hu Wei-Xuan)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Su SJ (Su Shao-Jian)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
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提交时间:2012/02/22
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103
作者:
Su SJ
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提交时间:2011/07/07
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy
Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103
Wang, W
;
Su, SJ
;
Zheng, J
;
Zhang, GZ
;
Zuo, YH
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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提交时间:2012/02/06
GeSn alloys
strained
strain-relaxed
molecular beam epitaxy