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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
1996 [1]
1993 [1]
1991 [1]
1989 [3]
1988 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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A semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0549103B1, 申请日期: 1996-02-28, 公开日期: 1996-02-28
作者:
KAN, YASUO
;
TAKAHASHI, KOSEI
;
HOSODA, MASAHIRO
;
TSUNODA, ATSUO
;
TANI, KENTARO
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提交时间:2020/01/18
A method for the production of semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: EP0341034B1, 申请日期: 1993-11-24, 公开日期: 1993-11-24
作者:
HOSODA, MASAHIRO
;
KONDO, MASAFUMI
;
SUYAMA, TAKAHIRO
;
SASAKI, KAZUAKI
;
TAKAHASHI, KOSEI
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5022036, 申请日期: 1991-06-04, 公开日期: 1991-06-04
作者:
SUYAMA, TAKAHIRO
;
KONDO, MASAFUMI
;
SASAKI, KAZUAKI
;
HOSODA, MASAHIRO
;
TAKAHASHI, KOSEI
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提交时间:2020/01/18
Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US4887274, 申请日期: 1989-12-12, 公开日期: 1989-12-12
作者:
HAYAKAWA, TOSHIRO
;
SUYAMA, TAKAHIRO
;
TAKAHASHI, KOSEI
;
KONDO, MASAFUMI
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提交时间:2019/12/24
A semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0323251A2, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
作者:
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提交时间:2020/01/13
A semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0311444A2, 申请日期: 1989-04-12, 公开日期: 1989-04-12
作者:
HAYAKAWA, TOSHIRO
;
SUYAMA, TAKAHIRO
;
KONDO, MASAFUMI
;
TAKAHASHI, KOSEI
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提交时间:2020/01/13
A semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0289308A2, 申请日期: 1988-11-02, 公开日期: 1988-11-02
作者:
SUYAMA, TAKAHIRO
;
TAKAHASHI, KOSEI
;
KONDO, MASAFUMI
;
HAYAKAWA, TOSHIRO
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提交时间:2020/01/13
A semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0273726A3, 申请日期: 1988-10-05, 公开日期: 1988-10-05
作者:
HAYAKAWA, TOSHIRO
;
SUYAMA, TAKAHIRO
;
TAKAHASHI, KOSEI
;
KONDO, MASAFUMI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device having an oscillation wavelength in the visible short-wavelength region
专利
OAI收割
专利号: US4759024, 申请日期: 1988-07-19, 公开日期: 1988-07-19
作者:
HAYAKAWA, TOSHIRO
;
SUYAMA, TAKAHIRO
;
TAKAHASHI, KOSEI
;
YAMAMOTO, SABURO
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提交时间:2019/12/24