机构

• 半导体研究所 [10]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 上海应用物理研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [15]

发表日期

• 2013 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [2]
• 2002 [2]
• 1998 [2]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anisotropic magnetism and spin-dependent transport in Co nanoparticle embedded ZnO thin films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 3 Li, DY; Zeng, YJ; Pereira, LMC; Batuk, D; Hadermann, J; Zhang, YZ; Ye, ZZ; Temst, K; Vantomme, A; Van Bael, MJ; Van Haesendonck, C 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/16 High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516 Sun, Q; Wang, JT; Wang, H; Jin, RQ; Jiang, DS; Zhu, JJ; Zhao, DG; Yang, H; Zhou, SQ; Wu, MF; Smeets, D; Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 STRESS  SI(111)  REDUCTION  THICKNESS   High-precision determination of lattice constants and structural characterization of inn thin films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 作者:  Wu, MF;  Zhou, SQ;  Vantomme, A;  Huang, Y;  Wang, H 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   Comparison of the properties of gan grown on complex si-based structures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 3 作者:  Zhou, SQ;  Vantomme, A;  Zhang, BS;  Yang, H;  Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Comparison of the properties of GaN grown on complex Si-based structures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: art.no.081912 Zhou, SQ; Vantomme, A; Zhang, BS; Yang, H; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Depth dependence of the tetragonal distortion of a gan layer on si(111) studied by rutherford backscattering/channeling 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 作者:  Wu, MF;  Chen, CC;  Zhu, DZ;  Zhou, SQ;  Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 Wu MF; Chen CC; Zhu DZ; Zhou SQ; Vantomme A; Langouche G; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  ELASTIC STRAIN  INGAN   Structural study of ysi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 作者:  Wu, MF;  Yao, SD;  Vantomme, A;  Hogg, S;  Pattyn, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)