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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序 STCF conceptual design report (Volume 1): Physics & detector 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS OF PHYSICS, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 14701 作者:  Achasov, M;  Ai, XC;  An, LP;  Aliberti, R;  An, Q   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/18 Optimizing single-atom cerium nanozyme activity to function in a sequential catalytic system for colorimetric biosensing 期刊论文  OAI收割 NANO TODAY, 2024, 卷号: 56, 页码: 102236 作者:  Chang, QC;  Wu, JB;  Zhang, RT;  Wang, SS;  Zhu, XY   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/18 Engineering Single-Atom Iron Nanozymes with Radiation-Enhanced Self-Cascade Catalysis and Self-Supplied H2O2 for Radio- enzymatic Therapy 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 18849-18862 作者:  Zhu, XY;  Wu, JB;  Liu, RX;  Xiang, HD;  Zhang, WQ   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2023/11/09 single-atom iron nanozyme  external-?eld-enhanced catalysis  enzymatic therapy  radiotherapy   Taiji program in space for gravitational universe with the first run key technologies test in Taiji-1 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS A, 2021, 卷号: 36, 期号: 11N12, 页码: 2 作者:  Wu YL(吴岳良);  Luo ZR(罗子人);  Wang, Jian-Yu;  Bai, Meng;  Bian, Wei   |  收藏  |  浏览/下载：216/0  |  提交时间：2021/06/21 Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018 作者:  Shan Tang;  Tao GL(陶桂龙);  Li JF(李俊峰);  Zhu HL(朱慧珑);  Wang XL(王晓磊)   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/20 Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Xiang JJ(项金娟);  Eddy Simoen;  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Ye TC(叶甜春)   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/06/08 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文  OAI收割 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东)   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2017/05/19 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文  OAI收割 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/05/09 Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Liang QQ(梁擎擎);  Liu JB(刘金彪);  Li JF(李俊峰);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/05/31 Upgrade to the front-end electronics of the BESIII muon identification system 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2014, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 20402 作者:  Xi, JB;  Liang, H;  Xiang, ST;  Guo, D;  Zhou, JJ 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2016/04/08 BESIII  Upgrade  Resistive Plate Chamber  Front-end protection