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机构
西安光学精密机械研... [16]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
专利 [16]
发表日期
2018 [2]
2017 [1]
1989 [3]
1988 [9]
1987 [1]
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浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
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Light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US10024505, 申请日期: 2018-07-17, 公开日期: 2018-07-17
作者:
YAMASHITA, TOSHIAKI
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提交时间:2020/01/13
Light emitting device and method of producing the light emitting device
专利
OAI收割
专利号: EP3331108A1, 申请日期: 2018-06-06, 公开日期: 2018-06-06
作者:
YAMASHITA, TOSHIAKI
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提交时间:2019/12/31
Lichtemissionsvorrichtung
专利
OAI收割
专利号: DE102017111783A1, 申请日期: 2017-11-30, 公开日期: 2017-11-30
作者:
YAMASHITA TOSHIAKI
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of light emitting element of semiconductor
专利
OAI收割
专利号: JP1989232784A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
作者:
TANAKA TOSHIAKI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2019/12/31
Double-hetero structure semiconductor laser with device
专利
OAI收割
专利号: JP1989170082A, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
作者:
ONO YUICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
YOSHIZAWA MISUZU
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser integrated device
专利
OAI收割
专利号: JP1989120082A, 申请日期: 1989-05-12, 公开日期: 1989-05-12
作者:
YAMASHITA SHIGEO
;
TANAKA TOSHIAKI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1988318184A, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者:
YAMASHITA SHIGEO
;
ONO YUICHI
;
YAMANAKA AKEMI
;
TANAKA TOSHIAKI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device having little astigmatism
专利
OAI收割
专利号: US4780879, 申请日期: 1988-10-25, 公开日期: 1988-10-25
作者:
CHINONE, NAOKI
;
YAMASHITA, SHIGEO
;
NAKATSUKA, SHIN'ICHI
;
YAMANAKA, AKEMI
;
ONO, YUICHI
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1988208292A, 申请日期: 1988-08-29, 公开日期: 1988-08-29
作者:
YAMASHITA SHIGEO
;
ONO YUICHI
;
TANAKA TOSHIAKI
;
YOSHIZAWA MISUZU
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1988208291A, 申请日期: 1988-08-29, 公开日期: 1988-08-29
作者:
ONO YUICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
TANAKA TOSHIAKI
;
KAJIMURA TAKASHI
;
YAMANAKA AKEMI
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提交时间:2020/01/18