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Buried heterostructure semiconductor laser with high-resistivity semiconductor layer for current confinement 专利  OAI收割
专利号: US4815083, 申请日期: 1989-03-21, 公开日期: 1989-03-21
作者:  SUGOU, SHIGEO;  YANASE, TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26
Multiwavelength light source semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: JP1989050494A, 申请日期: 1989-02-27, 公开日期: 1989-02-27
作者:  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor light-emitting element and its manufacture 专利  OAI收割
专利号: JP1988228694A, 申请日期: 1988-09-22, 公开日期: 1988-09-22
作者:  KASAHARA KENICHI;  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
Optical flip flop 专利  OAI收割
专利号: JP1988199327A, 申请日期: 1988-08-17, 公开日期: 1988-08-17
作者:  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
Buried structure semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988133587A, 申请日期: 1988-06-06, 公开日期: 1988-06-06
作者:  YANASE TOMOO;  ITO TOMOHIRO;  ASATA SUSUMU;  RANGU HIROYOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/01/18
Integrated element of photo semiconductor and its manufacture 专利  OAI收割
专利号: JP1987219590A, 申请日期: 1987-09-26, 公开日期: 1987-09-26
作者:  YANASE TOMOO;  USUI AKIRA
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987179194A, 申请日期: 1987-08-06, 公开日期: 1987-08-06
作者:  YANASE TOMOO;  SUGAO SHIGEO
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1987176182A, 申请日期: 1987-08-01, 公开日期: 1987-08-01
作者:  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987029190A, 申请日期: 1987-02-07, 公开日期: 1987-02-07
作者:  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
Buried structure semiconductor laser and manufacture of the same 专利  OAI收割
专利号: JP1987018078A, 申请日期: 1987-01-27, 公开日期: 1987-01-27
作者:  YANASE TOMOO
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31