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浏览/检索结果: 共50条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A Platform for Properties Investigation of Narrow Gap Electrostatic Discharge 会议论文  OAI收割 Beijing, 1-4 Sept. 2022 作者:  Ruan FM;  Yin L;  Chai YQ;  Meng Y(孟洋);  Ji QZ   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/12/29 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 会议论文  OAI收割 作者:  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  J.Wu;  Huang YB(黄云波);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/13 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/03/27 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生)   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/03/28 Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yao JX(姚佳欣);  Yin HX(殷华湘);  Wu ZH(吴振华);  Gao JF(高建峰)   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/05/05 Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node 期刊论文  OAI收割 Journal of the Electron Devices Society, 2018 作者:  Gu J(顾杰);  Wen Yang;  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang WW(王文武)   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/05 Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018 作者:  Yang L(杨玲);  Zhang QZ(张青竹);  Huang YB(黄云波);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/28 Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Meng LK(孟令款);  Yao JX(姚佳欣);  Li JJ(李俊杰)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/05 Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510 作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/09/18 Anneal  Finfet  On-state Bias  Total Ionizing Dose (Tid)