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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助

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FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010
毕大炜
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/06
超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009
张帅
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/06
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4，559-562
作者:  许剑;  丁磊;  韩郑生;  钟传杰
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/27
基于平面路由的无线Mesh网切换技术 期刊论文  OAI收割
无线电通信技术, 2008, 期号: 05
苏钢; 袁丽玲; 朱光喜; 戴沁芸
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06
新型多栅全耗尽SOI器件研究进展 期刊论文  OAI收割
电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 5,841_845
作者:  海潮和;  周华杰;  蔡小五
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26
全耗尽  Soi  多栅  
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 5,73_77
作者:  韩郑生;  李瑞贞;  李多力;  杜寰;  海潮和
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割
电子器件, 2007, 期号: 6
作者:  许剑;  钟传杰;  丁磊;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 124-127
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26
双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 35-40
作者:  毕津顺;  吴峻峰;  海潮和
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 6，2303-2308
作者:  韩郑生;  李瑞贞
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26