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响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析 期刊论文  OAI收割
强激光与粒子束, 2016, 卷号: 28.0, 期号: 006, 页码: 064109-1
作者:  Fu Wenting;  Liang Qiao;  Cui Kefu;  Shi Tianli;  Zhang Na
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/02/02
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732
作者:  万里兮;  吕垚;  李宝霞
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01
AMC7820在微流控芯片电泳系统中的应用 期刊论文  OAI收割
现代科学仪器, 2006, 期号: 02
朱海兵; 金庆辉; 张华; 刘菁; 庄贵生
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/01/06
中断技术在车流量实时检测系统中的应用 期刊论文  OAI收割
控制工程, 2005, 期号: 03
韩冰; 李少远; 孙晓玮
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06
锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005
洪婷  
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/03/06
亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作 期刊论文  OAI收割
光子学报, 2003, 期号: 06, 页码: 653-656
作者:  曹召良;  卢振武
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/11
多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 期刊论文  OAI收割
液晶与显示, 2002, 期号: 01, 页码: 59-64
王大海; 李轶华; 孙艳; 吴渊; 陈国军; 付国柱; 荆海; 万春明
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/11
GaInAsSb/AlGaAsSb半导体激光器器件工艺及表征技术研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院上海冶金研究所  , 2000
简贵胄  
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/03/06
反应离子深刻蚀硅的研究 期刊论文  OAI收割
传感技术学报, 1995, 期号: 03
姜建东; 孙承龙; 王渭源; 王德宁
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/03/29