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OAI收割 [14]
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期刊论文 [9]
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会议论文 [2]
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2006 [4]
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混合动力轿车用集中式锂离子动力电池管理系统设计
期刊论文
OAI收割
华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 期号: S1
张华辉
;
夏保佳
;
齐铂金
;
廖瑾瑜
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/01/06
静电保护
绝缘层上硅
传输线脉冲测试
栅接地n型金属-氧化物-半导体
深亚微米级VLSI低功耗设计技术研究
学位论文
OAI收割
沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2008
作者:
杨松
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/29
低泄漏功耗
睡眠晶体管
亚阈值泄漏
栅氧化层厚度
Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4,754-756,777
作者:
蔡小五
;
海潮和
;
陆江
;
王立新
;
刘刚
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/27
叠层栅
界面态电荷
氧化物俘获电荷
电容
45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2007, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 745-749
作者:
王宏
;
杨松
;
杨志家
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/29
栅极泄漏电流
Sram
栅氧化层厚度
静态噪声边界
HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
卓木金
;
马秀良
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/12
界面层厚度:7807
栅介质层:3216
相对介电常数:2195
薄膜:2048
二氧化硅:1902
氧化铪:1889
透射电子显微镜:1813
等效厚度:1778
退火温度:1778
化学成分:1696
HfO2/Si(001)界面层的TEM研究
会议论文
OAI收割
2006年全国电子显微学会议, 沈阳, 2006-08-26
卓木金
;
马秀良
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2013/08/21
栅氧化层
氧化硅
高K介质材料
隧穿效应
栅介质层
微电子技术
高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/TiN金属栅电极CMOS器件
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453
作者:
林钢
;
徐秋霞
;
周华杰
;
钟兴华
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/26
等效氧化层厚度
氮氧叠层栅介质
W/tin金属栅
非cmp平坦化
先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
陶凯
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2012/03/06
分栅闪存
浮栅
隧穿氧化层
ISSG退火
器件尺寸缩小
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系
期刊论文
OAI收割
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学锋
;
郑毓峰
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/11/29
CMOS运算放大器
跨导
栅氧层
氧化物电荷
界面态
超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5,651-655
作者:
钟兴华
;
吴峻峰
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/05/26
等效氧化层厚度
氮化硅/氮氧化硅复合叠层栅介质
高^
硼穿通
金属栅