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	偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响期刊论文 OAI收割辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者: 王利斌; 王信; 吴雪; 李小龙; 刘默寒 \| 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS 偏置条件电离总剂量氧化物陷阱电荷界面态
	极端辐射环境下双极晶体管的剂量率效应研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 刘默寒 \| 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2019/07/15 双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应变温辐照加速评估方法极高总剂量氢化氧空位界面陷阱电荷氧化物陷阱电荷
	CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究会议论文 OAI收割中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者: 玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林 \| 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2018/06/05 Cmos有源像素传感器电子辐照电离效应暗电流氧化物陷阱电荷界面态缺陷
	深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012 刘张李收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2013/04/24 总剂量辐射效应陷阱正电荷浅沟槽隔离氧化物辐射加固
	深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响期刊论文 OAI收割物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96 胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2013/02/22 总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管
	注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响会议论文 OAI收割第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2012/01/18 总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷注硅工艺改性加固材料抗辐射性能金属氧化物半导体场效应晶体管
	Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 4，927-930 作者: 蔡小五; 海潮和; 王立新; 陆江; 刘刚 \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos 辐照氧化物陷阱电荷界面态电荷