机构

• 微电子研究所 [8]
• 上海微系统与信息技术... [8]
• 过程工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 学位论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [3]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [4]
• 2004 [3]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 罗杰馨 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅  部分耗尽  浮体效应  记忆效应  隧道二极管   PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1 作者:  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/27 部分耗尽绝缘体上硅  环形栅 浮体效应  体源连接   PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 6，817-822 作者:  范雪梅;  毕津顺;  刘梦新;  杜寰   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 Pd  Soi  Mosfet  低频噪声  浮体效应  前背栅耦合效应   新型部分耗尽SOI器件体接触结构 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 11, 页码: 4，968-971 作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 浮体效应  体接触  寄生电容  体电阻   PDSOI体源连接环形栅nMOS特 性研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15 作者:  海潮和;  毕津顺   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅  环形栅  浮体效应  体源连接   提高SOI器件和电路性能的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327 作者:  韩郑生;  海潮和;  周小茵;  赵立新;  李多力   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  浮体效应  沟道  抗辐照   一种新的部分耗尽SOI器件BTS结构 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 3，730-732 作者:  李瑞贞;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  浮体效应  体接触   PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 4，234-237 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 浮体效应  辐照  Soi   灌封胶封装对高量程MEMS加速度计动态性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 期号: 06 蒋玉齐; 程迎军; 张鲲; 李昕欣; 罗乐 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/01/06 图形化SOI  LDMOSFET  浮体效应  自加热效应   新结构SOI材料与器件物理研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 朱鸣   收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘体上的硅(SOI)  自加热效应  浮体效应  等离子体浸没式离子注入