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发表日期

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学科主题

• 计算机系统结构 [1]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 基于CASCODE结构的射频功率放大器系统设计 期刊论文  OAI收割 电脑知识与技术, 2017, 页码: 196-197 作者:  刘阳;  孙亮;  张雪鹏;  沙鸥   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/04/09 功率放大器  射频集成电路  Cmos工艺   服务于微电子产业的MEMS新技术 期刊论文  OAI收割 仪表技术与传感器, 2009, 期号: S1 程融; 蒋珂玮; 李昕欣 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 微加工工艺技术  CMOS后端集成  滤波器  射频集成电路   片上集成MEMS射频滤波器 会议论文  OAI收割 第11届全国敏感元件与传感器学术会议, 2009 吴争争; 顾磊; 李昕欣 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/18 硅集成电路 射频滤波器 MEMS工艺 片上系统   纳米级工艺对物理设计的影响 期刊论文  OAI收割 信息技术快报, 2008, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 25 作者:  赵继业;  杨旭   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2009/12/18 纳米级工艺  超大规模集成电路  芯片在片波动  物理设计   半导体设备控制中SEMI标准模型研究 期刊论文  OAI收割 仪器仪表学报, 2008, 卷号: 29, 期号: S, 页码: 687-690 作者:  于海斌;  刘明哲;  徐皑冬   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/29 集成电路  电路制造  电路工艺  半导体设备   一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 697-700 作者:  金湘亮;  计峰;  陈杰;  马建斌   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 带隙基准电压源  Cmos工艺  宽温度范围  电源抑制比  电路版图  传感器芯片  输出电压  温度系数   基于非参数背景抑制的弱小目标管线法检测 期刊论文  OAI收割 光学技术, 2005, 期号: 04 张飞; 李承芳; 史丽娜; 孙晓玮 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 化学气相淀积  集成电路制造  后段工艺   薄栅氧高压CMOS器件研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 568-572 作者:  韩郑生;  刘奎伟;  陈则瑞;  于洋;  仙文岭   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/05/26 0．5μm  高压cmos  高低压兼容  Cmos工艺  驱动电路   一种新的SOI射频集成电路结构与工艺 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 569-571 作者:  韩郑生;  杨荣;  李俊峰;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi工艺  射频集成电路  Ldmos  Nmos  掩模版  光刻  硅衬底  集成工艺  Cmos  有源   基于SIMOX技术耐高温微型油井压力传感器研究 会议论文  OAI收割 2004年中国机械工程学会年会, 2004 王权; 丁建宁; 王文襄; 熊斌 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/01/18 高温压力传感器 SIMOX 耐高温封装 补偿电路 封装工艺