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采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [3]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割 第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012 作者:  余学峰 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/10 SOI  超深亚微米  寄生双极效应  背栅晶体管  沟道长度  热载流子效应   TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: 12 辛玉洁; 于春崎 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2012/09/25 薄膜晶体管  5次光刻  背沟道刻蚀型  背沟道保护型  a-Si岛   PDSOInMOSFETs关态击穿特性 期刊论文  OAI收割 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,14_18 作者:  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅  击穿  背栅沟道注入   重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 11 孙浩; 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 朱福英 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  总剂量辐射  背沟道  掩埋氧化层   用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 07 冯高明; 刘波; 吴良才; 宋志棠; 封松林; 陈宝明 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  总剂量辐射  背沟道  掩埋氧化层   部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系 会议论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2006 俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合   采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1875-1880 作者:  吴峻峰;  钟兴华;  李多力;  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽soi  半背沟道  击穿  翘曲效应