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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊
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电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙
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0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
罗杰馨
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部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:  李明;  余学峰;  薛耀国;  卢健;  崔江维
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部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 4，65-68
作者:  刘梦新;  卜建辉;  胡爱斌;  韩郑生
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PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者:  毕津顺;  海潮和
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总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 5，619-623
作者:  郭天雷;  赵发展;  刘刚;  海潮和;  韩郑生
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RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 6，2158-2163
作者:  刘梦新;  韩郑生;  毕津顺;  范雪梅;  刘刚
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总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 4，1036-1039
作者:  刘梦新;  韩郑生;  李多力;  刘刚;  赵超荣
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