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• 上海微系统与信息技术... [7]
• 微电子研究所 [4]
• 上海光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [5]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [4]
• 2007 [2]
• 2005 [3]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 600V SOI高压器件的设计与性能的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 王中健 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/24 SOI  LDMOS  LIGBT  高压器件  功率集成电路   基于神经网络的自适应动态电源管理模型 期刊论文  OAI收割 华中科技大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 01 姜连祥; 许培培; 杨根庆; 李华旺 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 高压器件  扩展漏端MOS  衬底电流  热载流子注入   深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 王磊 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/03/06 高压器件  　LDMOS  　准饱和效应  　双峰衬底电流　   高速MEMS扫描微镜动态变形特性研究 期刊论文  OAI收割 传感技术学报, 2008, 期号: 04 穆参军; 赵本刚; 吴亚明 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 高压器件  衬底电流  可靠性   同步辐射的基本知识 第一讲 同步辐射光源的原理、构造和特征(续) 期刊论文  OAI收割 理化检验(物理分册), 2008, 期号: 02 杨传铮; 程国峰; 黄月鸿 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 高压器件  衬底电流  优化工艺   先进集成电路器件可靠性-高压N型器件热载流子效应和先进表征技术 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 戴明志 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2012/03/06 热载流子注入  　高压器件双强电场模型  　衬底电流公式  　退化公式  　寿命公式　   深亚微米高压集成电路中LDMOS的制造与工艺集成 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 王俊 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/03/06 高压器件  　LDMOS  　LCD驱动电路  　衬底电流  　无缝整合　   击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 4,72_75 作者:  韩郑生;  王晓慧;  杜寰   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/05/26 高压pmos器件  轻掺杂漏  击穿电压  器件模拟   具有加长LDD结构的高压CMOS器件 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 7,246_252 作者:  杜寰;  王晓慧;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 高压cmos器件  加长ldd结构  击穿电压   高压nMOS器件的设计与研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6，1489-1494 作者:  韩郑生;  杜寰;  宋李梅;  李桦   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 高压nmos器件  模拟  制造