机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2002 [3]
• 2000 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：90/8  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  crystal morphology  atomic force microscopy  nitrides  AIN BUFFER LAYER  SAPPHIRE   Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 77-84 Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Han P; Wang XH; Wang D 收藏  |  浏览/下载：85/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  crystal morphology  organic vapor phase epitaxy  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GAN  SAPPHIRE  ALN  EPITAXY  MOVPE   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION   Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151 Zhu QS; Matsushima H; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWTH  FACETS  WIRES  MOCVD   Microstructures of GaN films grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (01(1)over-bar2) sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 641 Cheng, LS; Zhang, Z; Zhang, GY; Yang, ZJ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/18 AIN BUFFER LAYER   Alternative microstructure of GaN nucleation layers grown by low pressure metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1997, 卷号: 70, 期号: 11, 页码: 1408 Cheng, LS; Zhang, GY; Yu, DP; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 AIN BUFFER LAYER  FILMS  DEPOSITION  QUALITY   Transmission electron microscopy study of the microstructure of a GaN film grown on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 DEFECT AND DIFFUSION FORUM, 1997, 卷号: 148, 页码: 122 Yu, DP; Chen, LS; Zhang, GY; Tong, YZ; Yang, ZJ; Jin, SX; You, LP; Liu, ZQ; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/23 AIN BUFFER LAYER  DIODES  MOVPE