机构

• 半导体研究所 [5]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：120/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 作者:  Zhang SM;  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/01/15 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：63/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：81/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Growth and properties of GaN on Si (111) substrates with AlGaN/AlN buffer layer by NH3-GSMBE 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891 Zhang NH; Wang XL; Zeng YP; Xiao HL; Wang JX; Liu HX; Li JM 收藏  |  浏览/下载：86/25  |  提交时间：2010/03/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYERS