机构

• 半导体研究所 [19]
• 高能物理研究所 [3]
• 物理研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]
• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [22]
• 学位论文 [3]

发表日期

• 2016 [1]
• 2014 [1]
• 2009 [6]
• 2008 [3]
• 2007 [2]
• 2006 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [6]
• 光电子学 [2]
• 半导体物理 [2]
• Spectrosco... [1]
• 半导体器件 [1]
• 微电子学 [1]
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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN 基蓝光LED droop的机理与抑制技术研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 郭瑶 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 GaN  LED  Efficiency droop  EBL  AlInGaN   AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院大学, 中国科学院大学, 2014, 2014 作者:  冯向旭   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/06/03 AlInGaN  LED  MOCVD  Alingan  Led  Mocvd   Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Growth behavior of alingan films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 作者:  Shang, J. Z.;  Zhang, B. P.;  Mao, M. H.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  Alingan   Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  Chen, WH;  Liao, H;  Hu, XD;  Li, R;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN-based LD  Multi-quantum-well (MQW)  AlInGaN  Barrier material   GaN基激光器多量子阱垒材料的研究 期刊论文  OAI收割 光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  陈伟华;  廖辉;  胡晓东;  李睿;  贾全杰 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/25 GaN基激光器  多量子阱(MQWs)  AlInGaN  垒材料   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：225/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   High al-content alingan epilayers with different thicknesses grown on gan/sapphire templates 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3350-3353 作者:  Shang, J. Z.;  Zhang, B. P.;  Wu, C. M.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Xps  Pl  Afm  Composition pulling effect  Alingan  Mocvd   InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  李为军   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/08/22 Ingan/gan多量子阱发光二极管  电致发光谱  态填充效应  应力致发光  纳米压印和su8技术  量子阱模型  量子点模型  内建极化场  Alingan  台阶型量子阱  Staggered 型量子阱  内量子效率  数值模拟