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内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hydrothermal synthesis, crystal structure and third-order nonlinear optical properties of a 3D coordination polymer containing 3,3 ',4,4 '-benzophenone-tetracarboxylate (BPTC) and pyrazine ligands 期刊论文  OAI收割 Journal of Coordination Chemistry, 2008, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: 1078-1087 X. Zhuo; Z. W. Wang; Z. R. Pan; Y. Z. Li and H. G. Zheng 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/01/22 nickel compound  crystal structure  hydrothermal synthesis  mixed  ligands  optical property  single-beam  framework  networks  bilayer   Research on the effect of nitrogen implantation doses on the structure of separation by implantation of oxygen and nitrogen 期刊论文  OAI收割 SMART MATERIALS & STRUCTURES, 2005, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: N42-N45 Zhang, EX; Yi, WB; Chen, J; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  BURIED LAYERS  SILICON   Structure characterization and photon absorption analysis of carbon-doped beta-FeSi2 film 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2473 Li, XN; Nie, D; Dong, C; Xu, L; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING BETA-FESI2  SI(100)  EPITAXY  SI(001)  FESI2   High-quality carbon-doped beta-type FeSi2 films synthesized by ion implantation 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2004, 卷号: 461, 期号: 1, 页码: 48 Dong, C; Li, X; Nie, D; Xu, L; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  EPITAXIAL BETA-FESI2 FILMS  PULSED-LASER DEPOSITION  BEAM SYNTHESIS  THIN-FILMS  SEMICONDUCTING BETA-FESI2  BAND-GAP  GROWTH  SI(100)  MICROSTRUCTURE   Studies on silicon-on-insulator-multilayer structures prepared by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2004, 卷号: 58, 期号: 3-4, 页码: 465-469 Xie, XY; Lin, Q; Liu, WL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  NITRIDE   Composition, structure and optical properties of SiC buried layer formed by high dose carbon implantation into Si using metal vapor vacuum arc ion source 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2003, 卷号: 426, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Chen, DH; Wong, SP; Yang, SH; Mo, D 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 BEAM SYNTHESIS  SILICON  XPS   Fabrication of silicon-on-insulator-multilayer structure by epitaxial layer transfer 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2003, 卷号: 336, 期号: 3-4, 页码: 344-348 Xie, XY; Liu, WL; Lin, Q; Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-BEAM SYNTHESIS  NITRIDE   Study on the doped beta-FeSi2 obtained by metal vapor vacuum are ion source implantation and post-annealing 期刊论文  OAI收割 MATERIALS FOR ENERGY STORAGE, GENERATION AND TRANSPORT, 2002, 卷号: 730, 页码: 113 Wang, SB; Liang, H; Zhu, PR 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/24 STRUCTURAL-PROPERTIES  BEAM SYNTHESIS  ALPHA-FESI2  SI(111)  PHASES  FILMS   A comparative study on microstructures of beta-FeSi2 and carbon-doped beta-Fe(Si,C)(2) films by transmission electron microscopy 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2002, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 47 Li, XN; Nie, D; Dong, C 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING FESI2  THIN-FILMS  DISILICIDE  DEPOSITION   Microstructure of beta-FeSi2 film synthesized by ion implantation 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 115 Li, XN; Nie, D; Dong, CA; Ma, TC; Jin, X; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/18 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  SOLID-PHASE EPITAXY  SEMICONDUCTING FESI2  BEAM SYNTHESIS  THIN-FILMS  DISILICIDE  SI(001)  SILICON  LAYERS