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• OAI收割 [29]

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• 期刊论文 [29]

发表日期

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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2017, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 220-+ 作者:  Guo Chun-Yan;  Xu Jian-Xing;  Peng Hong-Ling;  Ni Hai-Qiao;  Wang Tao 收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2017/06/06 on-chip THz antenna integrated device  LT-GaAs  epitaxial layer transfer  wet chemical etching   Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 2011, 卷号: 60, 60, 期号: 2, 页码: article no.20703, Article no.20703 作者:  Wang XP;  Yang XH;  Han Q;  Ju YL;  Du Y   |  收藏  |  浏览/下载：65/7  |  提交时间：2011/07/05 V-groove substrate  quantum wires  GaAs  EPITAXIAL-GROWTH  TRANSISTOR  V-groove Substrate  Quantum Wires  Gaas  Epitaxial-growth  Transistor   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS   Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11 BEAM EPITAXIAL-GROWTH  QUANTUM DOTS  RADIATIVE RECOMBINATION  PATTERNED GAAS  SURFACE  STATES  GE   Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   Hysteresis dispersion scaling of a two-dimensional ferroelectric model 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 6 L. F. Wang; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 monte-carlo-simulation  kinetic ising-model  magnetic hysteresis  epitaxial fe/gaas(001)  relaxor ferroelectrics  dynamic hysteresis  phase-transition  spin systems  thin-films  field   Direct observation of electron-beam-induced nucleation and growth in amorphous GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Science in Semiconductor Processing, 2004, 卷号: 7, 期号: 1-2, 页码: 19-25 Z. C. Li; H. Zhang; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 amorphous GaAs  electron beam irradiation  crystallization  electron  microscopy  induced epitaxial regrowth  silicon  crystallization  ge  irradiation  kinetics  si  amorphization  cazrti2o7  damage   Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208 Feng ZH; Yang H; Zheng XH; Fu Y; Sun YP; Shen XM; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  FILMS  GAAS   Effects of As pressure on optical features of low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 90 Han, YJ; Guo, LW; Bao, CL; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM-EPITAXIAL GAAS  ALGAAS/GAAS  DEFECT  TIME