机构

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内容类型

• 期刊论文 [40]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序 Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100 Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2012/01/06 GaN  MOCVD  Si(111)  AlN  VAPOR-PHASE EPITAXY  LAYERS  SUBSTRATE  MOCVD  STRESS   Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307 作者:  Zhang SM;  Wang LJ;  Wang YT;  Yang H;  Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：322/3  |  提交时间：2010/04/05 GaN  light emitting diode  surface treatment  leakage current  THREADING DISLOCATION DENSITIES  LAYERS  NI/AU  LEDS   Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：144/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   Effects of the sputtering time of zno buffer layer on the quality of gan thin films 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2008, 卷号: 254, 期号: 21, 页码: 6766-6769 作者:  Xue, Shoubin;  Zhang, Xing;  Huang, Ru;  Zhuang, Huizhao 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan films  Zno buffer layers  Sputtering time   A buffer layer for ZnO film growth on sapphire 期刊论文  OAI收割 SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 602, 期号: 14, 页码: 2600 Zheng, K; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ASSISTED MBE GROWTH  IRON-OXIDE LAYERS  THIN-FILMS  GAN  ALPHA-AL2O3(0001)  HETEROEPITAXY  SUBSTRATE  QUALITY   Growth of Highly Conductive n-Type Al0.7Ga0.3N Film by Using AlN Buffer with Periodical Variation V/III Ratio 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4449 Zhang, J; Guo, LW; Xing, ZG; Ge, BH; Ding, GJ; Peng, MZ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  X-RAY-DIFFRACTION  ALGAN LAYERS  HIGH-QUALITY  GAN FILMS  SAPPHIRE  OPERATION   Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  PLANE SAPPHIRE  POROUS GAN  FILMS  NANOHETEROEPITAXY  FABRICATION  EPILAYERS  LAYERS  SI   Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate 期刊论文  OAI收割 CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642 Li, H; Sang, JP; Liu, C; Lu, HB; Cao, JC 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2011/12/02 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SAPPHIRE  CRYSTAL  LAYERS  MOCVD  GAN   Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate 期刊论文  OAI收割 CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642 Li,H; Sang,JP; Liu,C; Lu,HB; Cao,JC 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/12/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SAPPHIRE  CRYSTAL  LAYERS  MOCVD  GAN   Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on patterned sapphire substrates fabricated by wet chemical etching 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1727 Wang, J; Guo, LW; Jia, HQ; Xing, ZG; Wang, Y; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2013/09/18 DENSITY GAN  VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  LAYERS