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采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]
• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement of a-IZO TTFT Performance by Using Y2O3/Al2O3 Bilayer Dielectrics 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: H88-H92 Chen AH; Liang LY; Zhang HZ; Liu ZM; Ye XJ; Yu Z; Cao HT 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/01/18 THIN-FILM TRANSISTORS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GATE DIELECTRICS  HIGH-MOBILITY  SILICON  OXIDES  LAYERS  MICROELECTRONICS  SEMICONDUCTORS  STABILITY   Threshold voltage shift due to mechanical stress-enhanced plasma process-induced damage in 0.13-mu m pMOSFET 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2007, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 360-362 Li, R; Kong, WR; Tao, K; Yu, LJ; Huang, K; Ning, J; Geng, CQ; Wang, CD 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE OXIDES  DEGRADATION   First-principles theory of tunneling currents in metal-oxide-semiconductor structures 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: - 作者:  Zhang, X. -G.;  Lu, Zhong-Yi;  Pantelides, Sokrates T.;  Zhang, XG , Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophys Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/08/02 Ultrathin Gate Oxides  Band-structure  Electron-gas  States  Junctions  Formula   Phase separation and interfacial reaction of high-k HfAlOx films prepared by pulsed-laser deposition in oxygen-deficient ambient 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7 X. Y. Qiu; H. W. Liu; F. Fang; M. J. Ha; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/14 silicate thin-films  thermal-stability  gate dielectrics  si(100)  zro2  capacitors  diffusion  kinetics  oxides  hfo2   Interfacial microstructure of high-kappa dielectric CaZrOx films deposited by pulse laser deposition in low oxygen pressure 期刊论文  OAI收割 Integrated Ferroelectrics, 2005, 卷号: 74, 页码: 103-111 X. Y. Qiu; H. W. Liu; F. Fang; M. J. Ha; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/14 calcium zirconate  interfacial kinetic process  microstructure  thermal-stability  gate dielectrics  zro2 films  thin-films  silicon  si  diffusion  si(100)  growth  oxides   Studies of the interfacial structure of LaAlO3 thin films on silicon by x-ray reflectivity and angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 12 Li, XL; Xiang, WF; Lu, HB; Mai, ZH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 GATE DIELECTRICS  STABILITY  SI(001)  SIO2  DEPOSITION  OXIDES  LAYERS   The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet