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• 上海微系统与信息技术... [9]
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采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [4]
• 2007 [4]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Selective Wet-etching of Ge2Sb2Te5 Phase-change Thin Films in Thermal Lithography with Tetramethylammonium 期刊论文  OAI收割 applied physics a: materials science &processing, 2011, 期号: 104, 页码: 1091-1097 Deng CM(邓常猛) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/24 Ge2Sb2Te5 film  selective wet etching  tetramethylammonium  thermal lithography   Acid and Surfactant Effect on Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 9, 页码: H699-H702 Wang, LY; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Xiang, YH; Zhang, FX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 NITROGEN-DOPED GE2SB2TE5  FILM  MEMORY  GLASS   Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201 Shen, J; Liu, B; Song, Z; Xu, C; Rao, F; Liang, S; Feng, S; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE OPTICAL DISK  PHASE-CHANGE MEMORY  GE2SB2TE5 FILM  HIGH-DENSITY  DEVICE   The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 15, 页码: 4638-4643 Shen, J; Liu, B; Song, ZT; Xu, C; Liang, S; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  PHASE-CHANGE  NEGATIVE RESISTANCE  SWITCHING PHENOMENA  GE2SB2TE5 FILM  OXIDE-FILMS  GLASSES  TRANSITION   Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1848-1849 Xu, C; Liu, B; Chen, YF; Liang, S; Song, ZT; Feng, SL; Wan, XD; Yang, ZY; Xie, J; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM   激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2008, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 1111, 1114 孙华军; 侯立松; 吴谊群; 魏劲松 收藏  |  浏览/下载：1704/417  |  提交时间：2009/09/22 Ge2Sb2Te5薄膜  Ge2Sb2Te5 film  激光辐照  laser-irradiation  电/光性质  electrical/optical properties  光学常数  optical constants  相转变  phase change   Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L70-L73 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  RESISTANCE  STORAGE  MEMORY   Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILM  GE2SB2TE5   Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264 Bo, L; Feng, GM; Wu, LC; Song, ZT; Liu, QB; Feng, SL; Bomy, C 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY  ION-BEAM METHOD  SB2TE3 MATERIAL  GE2SB2TE5 FILM  ELEMENT  CRYSTALLIZATION   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR