机构

• 半导体研究所 [14]
• 物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [16]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [2]
• 2006 [2]
• 2004 [2]
• 2003 [3]
• 2000 [4]
• 1998 [4]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [3]
• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of GaAs/GaSb combination strain-reducing layer on self-assembled InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2649 Jiang, ZW; Wang, WX; Gao, HC; Li, H; Yang, CL; He, T; Wu, DZ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 NARROW PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH INTERRUPTION  MU-M  PRESSURE  DENSITY  REGION  SB   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506 Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Hu, LJ 收藏  |  浏览/下载：24/1  |  提交时间：2010/03/08 growth interruption  in segregation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum dots   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Chen, YH;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth interruption  In segregation  Surface oxide  Molecular beam epitaxy  Quantum dots   Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Influence of the deposition time of barrier layers on optical and structural properties of high-efficiency green-light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 1899 Zheng, XH; Chen, H; Yan, ZB; Li, DS; Yu, HB; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 GROWTH INTERRUPTION  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  EMISSION  INTERFACE  EXCITONS  DIODES  LOCALIZATION  DEPENDENCE  THICKNESS   The fabrication and properties of inas/gaas columnal islands 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305 作者:  Zhu, TW;  Bo, X;  Jun, H;  Zhao, FA;  Zhang, CL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas columnal islands  Growth interruption  Space layer  Pl spectra   Effects of TMIn flow rate of barrier layer on the optical and structural properties of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 326 Zheng, XH; Chen, H; Yan, ZB; Yu, HB; Li, DS; Han, YJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 GROWTH INTERRUPTION  LOCALIZED EXCITONS  TEMPERATURE  EMISSION  DEPENDENCE  INTERFACE  THICKNESS  GAP   Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104 Luo XD; Xu ZY; Wang YQ; Wang WX; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 growth interruption  molecular beam epitaxy  quantum dots  GaSb  WELLS   Abnormal effect of growth interruption on gasb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Wang, YQ;  Wang, WX;  Wang, JN 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth interruption  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Gasb   The influence of growth interruption on quantum dot laser 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 347-350 作者:  Wang, H;  Wang, HL;  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized inas quantum dots  Quantum dots laser  Growth interruption  Band-filling