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发表日期

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学科主题

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• 电子、离子与真空物理 [1]
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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政 收藏  |  浏览/下载：628/0  |  提交时间：2016/06/03 GaAs/Si  GaAs/Ge  两步法  四步法  量子点  激光器   Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957 作者:  Dong, JR(董建荣) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/01/15 IIII-V surface passivation  atomic layer deposition  hysteresis voltage  TiAlO alloy dielectric  epi-GaAs/Ge  effective dielectric constant  elemental out-diffusion  GaAs MOS   First-principles study on the electronic structure of dilute magnetic semiconductor Ga(1-x)Cr(x)P in zinc-blende phase 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2011, 卷号: 248, 期号: 5, 页码: 1258-1263 H. M. Huang; S. J. Luo; K. L. Yao 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/04/13 dilute magnetic semiconductors  density functional theory  electron  density of states  GaCrP  half-metallic ferromagnets  heusler alloys  doped gap  spin  gaas  ge  al  si   Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6 作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Anti-phase domain  Gaas/ge interface   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102 作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：138/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE  Molecular Beam Epitaxy  Anti-phase Domain  Gaas/ge Interface  Chemical Vapor-deposition  Junction Solar-cells  Domain-free Growth  Temperature  Quality  Future   Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302 Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：230/46  |  提交时间：2010/07/05 GE  GAAS  GROWTH   Self-assembled Sn nanoplatelets on Si(111)-2 root 3 x 2 root 3-Sn surfaces 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 1 Shen, QT; Li, WJ; Dong, GC; Sun, GF; Sun, YJ; Ma, XC; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/09/24 GROWTH  ISLANDS  SI(111)  ARRAYS  NANOSTRUCTURES  SI(001)  GAAS  GE   Thermal test and analysis of concentrator solar cells 会议论文  OAI收割 Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007 作者:  Cui M;  Chen NF(陈诺夫);  Wu JL;  Liu L;  Wang P 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/06/01 Concentrator solar cells  Concentrator systems  Gainp/gaas/ge  High concentrations  Metal organic  Passive cooling  Photovoltaic solar cells  Temperature differences  Theoretical models  Thermal conductions  Thermal resistance  Triple junctions  Upper surfaces   一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 期刊论文  OAI收割 核技术, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 37-39 作者:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/11/29 多结太阳电池  GaInP/GaAs/Ge  电子辐照  辐照效应  光谱响应