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发表日期

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浏览/检索结果: 共35条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287 作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/07/15 Laser diode  MOCVD  GaAs  InP   Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |  浏览/下载：193/19  |  提交时间：2010/09/20 OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION  DISPERSION-RELATIONS  CARRIER MOBILITIES  PHASE EPITAXY  DOPED GAAS  DEVICES  GASB  INP  ALXGA1-XAS  INGAASSB   Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251111-251111 Li, SG; Gong, Q; Lao, YF; Yang, HD; Gao, S; Chen, P; Zhang, YG(张永刚）; Feng, SL; Wang, HL 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  OPERATION  INP   Fabry-Perot microcavity modes observed in the micro-photoluminescence spectra of the single nanowire with InGaAs/GaAs heterostructure 期刊论文  OAI收割 optics express, 2009, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 9337-9346 作者:  Chen P;  Zhang L 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 BUILDING-BLOCKS  WAVE-GUIDES  GAAS  TEMPERATURE  WAVELENGTH  LASERS  INP   新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 艾立鹍 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2012/03/06 异质结双极晶体管（HBT）  　气态源分子束外延（GSMBE）  　GaAs  　InP  　InGaP  　InGaAs  　InGaAsP   耐高压超快半导体光导开关 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007 景争 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2011/10/09 半导体光导开关  半导体工艺  fs激光点触发  GaAs/InP   Heavily carbon-doped p-type InGaAs grown by gas source molecular beam epitaxy for application to heterojunction bipolar transistors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 301, 页码: 212-216 Xu, AH; Qi, M; Zhu, FY; Sun, H; Ai, LK 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 GAAS  INP   Structural and electrical analysis of S+ ion bombarded p-InP(100) 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1356-1364 Zhao, Q.; Zhai, G. J.; Kwok, R. W. M. 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/04/30 InP  ion beam bombardment  sulfur passivation  XPS  LEED  passivated inp(100)-(1x1) surface  ray photoelectron-spectroscopy  (nh4)2sx-treated gaas 100  p3n5 gate insulators  sulfide passivation  sulfur passivation  electronic states  sinx/inp interface  ab-initio  inp   InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究 会议论文  OAI收割 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 孙浩; 朱福英 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/18 InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料 外延生长   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP