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采集方式

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• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2015 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [3]
• Applied [1]
• Physics [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold current 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 80, 页码: 7 作者:  Li, X;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/31 GaAs laser diodes  Threshold current  Divergence angle   Optimizing the gaas capping layer growth of 1.3 mu m inas/gaas quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang, Tao;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  Inas  Gaas  Laser diodes   Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：261/54  |  提交时间：2010/03/08 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  InAs  GaAs  Laser diodes   Interband absorption of multiple quantum wells including diluted magnetic semiconductors in magnetic fields 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 13505-13505 Guo,XG; Cao,JC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/12/17 OPTICAL-ABSORPTION  BAND OFFSETS  LASER-DIODES  GAAS   Synthesis of semiconductor nanowires by annealing 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 85, 期号: 10, 页码: 1802 Zhi, CY; Bai, XD; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 STRUCTURE LASER-DIODES  WIRES  GAAS   Thermal stability of cubic GaN film grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 2002, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 79 Xu, M; Liu, CX; Liu, HF; Luo, GM; Chen, XM; Yu, WX; Cui, SF; Li, JH; Chen, H; Mai, ZH; Zhou, JM; Jia, QJ; Zheng, WL 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/09/23 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  RAMAN-SPECTROSCOPY  PHASE EPITAXY  LASER-DIODES  GAAS  CONDUCTIVITY  PHONONS   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：101/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER