机构

• 半导体研究所 [7]
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采集方式

• OAI收割 [12]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [15]

发表日期

• 2018 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [4]
• 2006 [5]
• 2005 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Tuning photonic crystal fabrication by nanosphere lithography and surface treatment of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 MATERIALS & DESIGN, 2018, 卷号: 160, 页码: 661-670 作者:  Chee, Kuan W. A.;  Guo, Wei;  Wang, John R.;  Wang, Yong;  Chen, Yue-e   |  收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2019/12/18 EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY  THIN-FILM  EXTRACTION EFFICIENCY  SPONTANEOUS EMISSION  ENHANCEMENT  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  WELLS  BLUE  ALN   Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：140/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343 Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：157/21  |  提交时间：2010/08/17 Valence band offset  w-InN/h-BN heterojunction  X-ray photoelectron spectroscopy  Conduction band offset  Valence band offset  NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY  INDIUM NITRIDE  WURTZITE GAN  SURFACE  FILM  ALN  TRANSPORT  EMISSION  NAXWO3  GROWTH   Strain status in zno film on sapphire substrate with a gan buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Zno film  Strain status  Gan buffer layer  Sapphire  Mvpe   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 作者:  Cui, J. P.;  Duan, Y.;  Wang, X. F.;  Zeng, Y. P.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544 Cui JP; Duan Y; Wang XF; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：231/122  |  提交时间：2010/03/08 ZnO film  Strain status  GaN buffer layer  Sapphire  MVPE   A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610 作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/08/18 surface treated  MOCVD  lateral epitaxial overgrown(LEO)  GaN film   Experimental study of the organic light emitting diode with a p-type silicon anode 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2006, 卷号: 496, 期号: 2, 页码: 665-668 G. L. Ma; A. G. Xu; G. Z. Ran; Y. P. Qiao; B. R. Zhang; W. X. Chen; L. Dai; G. G. Qin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/14 silicon oxide  organic light emitting diode  electrical properties and  measurement  silicon anode  conjugated oligomer film  porous silicon  interface  devices  electroluminescence  performance  electrodes  growth  oxide  gan   Structure and visible photoluminescence of Sm3+, Dy3+ and Tm3+ doped c-axis oriented AlN films 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2445-2449 F. S. Liu; Q. L. Liu; J. K. Liang; J. Luo; J. Su; Y. Zhang; B. J. Sun; G. H. Rao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 photoluminescence  III-V semiconductor  thin film growth  thin-films  implanted gan  tb ions  emission  luminescence  eu  er  temperature  growth