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常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2016/06/06
GaN基无创光子晶体LEDs-光提取机制和应用 学位论文  OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2014, 2014
作者:  杜成孝
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/06/03
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  陈一仁;  李志明;  蒋红;  黎大兵;  宋航
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/03/11
低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究；X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 07, 页码: 4584-4590
韩录会; 张崇宏; 张丽卿; 杨义涛; 宋银; 孙友梅
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/04/20
高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5578-5584
作者:  Zhang, LQ (Zhang Li-Qing);  Zhang, CH (Zhang Chong-Hong);  Yang, YT (Yang Yi-Tao);  Yao, CF (Yao Cun-Feng);  Sun, YM (Sun You-Mei)
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29
具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，554-558
作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27
铝酸锂晶体生长及其上宽禁带半导体薄膜制备研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007
作者:  邹军
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/11/28
高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
作者:  王晓亮;  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/05/26
AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 298-303
作者:  邵雪;  余志平;  谢常青;  马杰;  鲁净
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870
作者:  李晋闽;  王晓亮;  刘新宇;  胡国新;  王军喜
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26